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OSG MOSFET应用调式手册
浏览次数:2017 次   发布日期:2016-05-12 

       东微半导体成立于2008年,注册资本3520万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,也是国内仅有的极少数以原创半导体晶体管结构为核心技术的公司。在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新。公司拥有多项半导体器件核心专利,曾在国际顶级学术期刊上发表多篇拥有自主知识产权的核心技术论文。2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《science》杂志上发表,标志着首次国内科学家在半导体核心技术方向获得的重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。

东微半导体致力于自主知识产权的半导体器件技术的研发和产业化,是“长三角集成电路设计与制造协同创新中心”的核心成员单位。公司已有40多项发明专利,包括3个美国专利,有多项自主知识产权的国际原创核心器件技术。

    附件为东微半导体有限公司MOSFET应用指导手册。诣在让工程师更加快速了解OSG MOSFET的驱动、EMI解决方法。

                                                                                              /东微半导体MOSFET应用指导.pdf

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